GB/T 6616-1995《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》

Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductorfilms with a noncontact eddy-current gage

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：废止

国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位上海有色金属研究所。

基础信息

标准号：GB/T 6616-1995发布日期：1995-04-18实施日期：1995-12-01废止日期：2010-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H21归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F673:1990。采标中文名称:。

起草单位

上海有色金属研究所

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