GB/T 6618-1995《硅片厚度和总厚度变化测试方法》

Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：废止

国家标准《硅片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位北京有色金属研究总院。

基础信息

标准号：GB/T 6618-1995发布日期：1995-04-18实施日期：1995-12-01废止日期：2010-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H21归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F533:1990。采标中文名称:。

起草单位

北京有色金属研究总院

相近标准(计划)

GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法GB/T 32331-2015 织物芯输送带带总厚度和各层厚度试验方法GB/T 5753-2013 钢丝绳芯输送带总厚度和覆盖层厚度的测定方法20242657-T-607 纸和纸板厚度的测定GB/T 24328.2-2020 卫生纸及其制品第2部分: 厚度、层积厚度、表观层积紧度和松厚度的测定GB/T 20220-2006 塑料薄膜和薄片样品平均厚度，卷平均厚度及单位质量面积的测定称量法（称量厚度）

上一篇： 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

下一篇： 铝及铝合金管材外形尺寸及允许偏差