GB/T 41765-2022《碳化硅单晶位错密度的测试方法》

Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：现行

国家标准《碳化硅单晶位错密度的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。

主要起草人彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青。

基础信息

标准号：GB/T 41765-2022发布日期：2022-10-12实施日期：2023-05-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司

起草人

彭同华佘宗静赵宁王波李素青娄艳芳王大军郭钰杨建

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