GB/T 1553-1997《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》

Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：废止

国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位峨嵋半导体材料厂。

基础信息

标准号：GB/T 1553-1997发布日期：1997-06-03实施日期：1997-12-01废止日期：2010-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040.01 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F28:1990。采标中文名称:。

起草单位

峨嵋半导体材料厂

相近标准(计划)

GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试非接触涡流感应法20233724-T-606 气体分析气体中微量水分的测定第3部分：光腔衰荡光谱法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试瞬态吸收法YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法GB/T 38386-2019 气体分析气体中氮氧化物的测定光腔衰荡光谱法GB/T 37412-2019 激光器和激光相关设备光腔衰荡高反射率测量方法

上一篇： 低压锅炉水处理设施运行效果与监测

下一篇： 非本征半导体材料导电类型测试方法