GB/T 13150-2005《半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范》

Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：现行

国家标准《半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

基础信息

标准号：GB/T 13150-2005发布日期：2005-03-23实施日期：2005-10-01全部代替标准：GB/T 13150-1991标准类别：产品中国标准分类号：K46国际标准分类号：31.080.20 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准非等效采用IEC国际标准：IEC 60747-6-2:1991。采标中文名称:。

相近标准(计划)

GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T 6590-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范GB/T 6352-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范JB/T 7628-1994 KN系列100A/60A至400A/400A管壳额定逆导三极晶闸管详细规范GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范GB/T 7576-1998 半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范JB/T 8950.2-1999 电流大于100A普通晶闸管JB 5838-1991 KP系列1000A以上管壳额定反向阻断三极晶闸管JB 5839-1991 KH系列200A以上管壳额定反向阻断三极高压晶闸管

上一篇： 塑料管材和管件聚乙烯（PE）鞍形旁通抗冲击试验方法

下一篇： 塑料管材和管件聚乙烯电熔组件的挤压剥离试验