GB/T 14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：现行

国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。

主要起草人李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤。

基础信息

标准号：GB/T 14847-2010发布日期：2011-01-10实施日期：2011-10-01全部代替标准：GB/T 14847-1993标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

宁波立立电子股份有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心

起草人

李慎重何良恩何秀坤许峰刘培东

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