GB/T 26070-2010《化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法》

Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：现行

国家标准《化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国科学院半导体研究所。

主要起草人陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立。

基础信息

标准号：GB/T 26070-2010发布日期：2011-01-10实施日期：2011-10-01标准类别：方法中国标准分类号：H17国际标准分类号：77.040.99 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

中国科学院半导体研究所

起草人

陈涌海赵有文提刘旺王元立

相近标准(计划)

20231113-T-469 半导体晶片直径测试方法GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法20231305-T-469 表面化学分析 X射线光电子能谱全扫描谱的准实时信息含碳化合物表面污染的识别和校正规则20243001-T-469 稀土金属及其化合物物理性能测试方法第2部分：稀土化合物比表面积的测试YS/T 27-1992 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T 35007-2018 半导体集成电路低电压差分信号电路测试方法YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

上一篇： 有毒与可燃性气体检测系统安全评价导则

下一篇： 高杂质钨矿化学分析方法三氧化钨量的测定二次分离灼烧重量法