GB/T 30653-2014《Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法》

Test method for crystal quality of III-nitride epitaxial layers

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：现行

国家标准《Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国科学院半导体研究所。

主要起草人孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。

基础信息

标准号：GB/T 30653-2014发布日期：2014-12-31实施日期：2015-09-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040.20 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

中国科学院半导体研究所

起草人

孙宝娟赵丽霞李晋闽王军喜曾一平

相近标准(计划)

GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片20243061-T-469 300 mm硅外延片SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法GB/T 14139-2019 硅外延片GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备GB/T 43885-2024碳化硅外延片

上一篇： 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法

下一篇： 纸质印刷品紫外线固化光油上光过程控制要求及检验方法