Wafer level test methods for MEMS piezoresistive pressure-sensitive die performances
标准类型:国家标准
标准属性:推荐性
标准状态:现行
国家标准《MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法》由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。
主要起草单位北京大学、中机生产力促进中心、北京必创科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中北大学。
主要起草人张威 、程红兵 、陈得民 、李海斌 、崔波 、石云波 、朱悦 。
标准号:GB/T 33922-2017发布日期:2017-07-12实施日期:2018-02-01标准类别:方法中国标准分类号:L55国际标准分类号:31.200 归口单位:全国微机电技术标准化技术委员会执行单位:全国微机电技术标准化技术委员会主管部门:国家标准委
北京大学北京必创科技股份有限公司中北大学中机生产力促进中心中国电子科技集团公司第十三研究所
张威程红兵崔波石云波陈得民李海斌朱悦
GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法20242019-T-469 微机电系统(MEMS)技术 MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片GB/T 28856-2012 硅压阻式压力敏感芯片JB/T 10524-2005 硅压阻式压力传感器JB/T 12937-2016 压阻式陶瓷压力传感器SJ/T 10429-1993 压阻式压力传感器总规范SJ/T 10430-1993 压阻式压力传感器空白详细规范20242021-T-469 微机电系统(MEMS)技术MEMS电容式麦克风性能试验方法GB/T 26807-2011 硅压阻式动态压力传感器GB/T 32815-2016 硅基MEMS制造技术体硅压阻加工工艺规范
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