Technical specification for middle power light-emitting diode chips
标准类型:国家标准
标准属性:推荐性
标准状态:现行
国家标准《中功率半导体发光二极管芯片技术规范》由339-1(工业和信息化部(电子))归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位中国电子技术标准化研究院、厦门市三安光电科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所。
主要起草人刘秀娟 、赵英 、张戈 、蔡伟智 、张瑞霞 、赵敏 、张晨朝 。
标准号:GB/T 36357-2018发布日期:2018-06-07实施日期:2019-01-01标准类别:产品中国标准分类号:L53国际标准分类号:31.260 归口单位:工业和信息化部(电子)执行单位:工业和信息化部(电子)主管部门:工业和信息化部(电子)
中国电子技术标准化研究院中国电子科技集团公司第十三研究所厦门市三安光电科技有限公司
刘秀娟赵英张瑞霞赵敏张戈蔡伟智张晨朝
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范
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