GB/T 1551-2021《硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法》

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method

标准类型：国家标准

标准属性：推荐性

标准状态：现行

国家标准《硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司、乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、亚洲硅业（青海）股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、开化县检验检测研究院、南京国盛电子有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、义乌力迈新材料有限公司。

主要起草人刘立娜、刘兆枫、何烜坤、刘刚、杨素心、孙燕、高英、王昕、梁洪、潘金平、楼春兰、宗冰、李慎重、潘文宾、蔡丽艳、王志强、皮坤林。

基础信息

标准号：GB/T 1551-2021发布日期：2021-05-21实施日期：2021-12-01全部代替标准：GB/T 1551-2009标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所有研半导体材料有限公司青海芯测科技有限公司乐山市产品质量监督检验所亚洲硅业（青海）股份有限公司开化县检验检测研究院青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司有色金属技术经济研究院有限责任公司广州市昆德科技有限公司浙江海纳半导体有限公司中国计量科学研究院浙江金瑞泓科技股份有限公司南京国盛电子有限公司义乌力迈新材料有限公司

起草人

刘立娜刘兆枫杨素心孙燕梁洪潘金平李慎重潘文宾皮坤林何烜坤刘刚高英王昕楼春兰宗冰蔡丽艳王志强

相近标准(计划)

YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法两探针法YS/T 602-2017 区熔锗锭电阻率测试方法两探针法GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法YB/T 6166-2024 石墨烯薄膜方块电阻的测定四探针法DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法第3部分：浆料极片电阻率的测定四探针法GB/T 39978-2021 纳米技术碳纳米管粉体电阻率四探针法DB13/T 5255-2020 石墨烯导电油墨方阻的测定四探针法GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定扩展电阻探针法DB32/T 4027-2021 石墨烯粉体电导率测定动态四探针法JB/T 12074-2014 复合金属材料成分的测定电子探针法

上一篇： 砷化镓单晶

下一篇： 纳米技术碳纳米管粉体电阻率四探针法